Descripción de especificaciones de memoria comunes

Hay muchos términos y acrónimos relacionados con ordenadores y servidores que pueden causar confusión. Si va a actualizar su sistema y un ordenador lento le ha puesto al límite de la exasperación, lo último que le apetece es tener que averiguar qué significan los términos técnicos sobre memoria y almacenamiento. Estas son algunas preguntas frecuentes que le resultarán útiles para buscar la mejor actualización posible.

Estos tres términos suelen usarse de forma indistinta. “RAM” es el acrónimo inglés de memoria de acceso aleatorio, y “DRAM” es el acrónico de memoria dinámica de acceso aleatorio.

Un factor de forma es la forma física, o las dimensiones físicas, del módulo. UDIMM, o módulo de memoria en línea doble sin búfer, es el factor de forma más común para la memoria que usan los equipos de sobremesa. Los portátiles u otros sistemas pequeños usan SODIMM o DIMM de contorno pequeño, que tienen menos contactos (los bordes dorados del fondo del módulo) y son físicamente más pequeños que los UDIMM. Los  servidores  usan diversos estándares además de los factores de forma, según cómo se use el servidor (RDIMM, LRDIMM, FBDIMM, ECC UDIMM, ECC SODIMM, NVDIMM, etc.).

La capacidad total es la memoria total que proporcionan el módulo o el kit de módulos en gigabytes (GB). Tener más GB de RAM es mejor porque su sistema puede ejecutarse rápidamente y usar más datos activos.

La cantidad de datos que puede transferirse desde la memoria a la CPU en un intervalo de tiempo específico. La velocidad se mide en megatransferencias por segundo (MT/s) y, por lo general, cuanta más velocidad, mejor.

La tensión es la potencia que consume el módulo. Cuanto mayor es la tensión, el sistema usa más energía y también puede generar temperaturas más altas en el sistema, con los consiguientes efectos negativos que esto implica.

La cantidad total de datos, no solo la velocidad, que el módulo puede procesar de una vez. Cuanto más ancho de banda, mejor.

El retardo de tiempo entre que se introduce un comando (acción) y se ejecuta. Por lo general, cuanto menor es la latencia, mejor. En la descripción de la latencia hay  tres números . Un ejemplo es un módulo DDR4 con latencia 16-17-17, que tiene un tiempo de latencia CAS de 16, un tiempo tRCD de 17 y un tiempo de tRP de 17. Aunque los valores nominales de latencia CAS son los más comunes, la medida mejor es la que se especifica en nanosegundos. A esto se le llama latencia verdadera.

En el caso de búfer, también conocida como registrada, la memoria se diseña para aplicaciones de servidor y tiene una protección, o intermediario, entre el módulo y los datos para aligerar la carga eléctrica y garantizar la integridad de los datos al comprobar que cada porción de información enviada a la memoria es correcta.

La tecnología de memoria de un módulo debe corresponderse con la tecnología de memoria de su sistema para ser compatibles. La memoria está disponible en varias generaciones de tecnología. Por ejemplo, DDR, DDR2, DDR3 y DDR4. Además, “actualizar su memoria” suele referirse a añadir más GB de RAM al sistema. Esto no supone añadir memoria DDR4 a un sistema DDR3 porque los módulos tienen diferencias físicas entre una tecnología de memoria y la siguiente, y no podrán encajar en la ranura de memoria. Para comprobar la compatibilidad en solo unos clics, use nuestras herramientas Crucial® System Scanner o Crucial® Advisor™.

A esto también se le conoce como rango de memoria, que indica cómo se desarrollan los chips (los componentes negros del módulo) para procesar datos. En una configuración con mayor número de componentes, el módulo puede admitir más datos para cargas de trabajo más intensas, pero algunos sistemas tienen un límite de compatibilidad para el número de rangos.

Añade un nivel extra de integridad de los datos que es preferible para algunas aplicaciones de servidor y estación de trabajo. La mayoría de los módulos de memoria de portátil y equipos de sobremesa no necesitan ECC.